軍用晶片確實沒必要使用14nm/7nm的制程。一是因為必須要國產，國內制程也沒那麼先進，65nm屬於比較穩定沒問題的。當然中芯國際還是不錯的，28nm可以量產。二是65nm確實要便宜很多，軍工晶片通常也沒那麼大的量產，所以沒必要上28nm。第三，新工藝帶來的OCV效應（片上差異）很坑爹，往往達不到軍工需要的工作環境，制程越小，OCV效應越嚴重，帶來的時序問題越多，軍工晶片的溫度範圍又寬，不一定適合高端制程。再者就是宇宙射線的影響，制程越大，對宇宙射線的抵抗力越強，對晶片的穩定工作很有好處。還有什麼電遷移等等，都是制程越大，壽命越久的
關於Cadence全套EDA介紹中已經涉及這個問題，即晶片設計主要依據應用場景以及成本來選擇使用的節點工藝制程。先進節點工藝並不適用於所有應用，先進節點工藝（28nm以下）的應用場景主要是智慧手機移動設備和高性能計算。這些使用先進節點晶片的應用場景在全體晶片應用中只占大約40%左右。絕大多數半導體晶片應用場景都是使用成熟老工藝，比如說物聯網和汽車晶片應用都是使用40nm至65nm工藝。還有眾多用於醫療設備、產品目錄部件、工業控制器、手機基站、軍用晶片等用途的晶片應用還在使用90nm以上的“老舊工藝”呢！因為這類晶片不需要先進的節點工藝，因此這些用途晶片使用成熟節點工藝，因為它們更便宜！國內目前欠缺的往往就是這大類晶片，而非CPU之類。國內每年超過2000億米元晶片進口中的大部分應該就是屬於這大類晶片。實際上國內欠缺的就是沒有有規模的大型類比晶片公司，若國內未來出現諸如米國德州儀器、Qorvo、菲斯卡爾這樣的大型類比晶片IDM公司時，那時才是國內半導體產業真正崛起的時候。先進的類比/射頻/微波/毫米波晶片根本不需要先進節點工藝，而是需要先進的半導體材料！例如米國國防部DARPA正在為先進微波/毫米波系統開發革命性的材料、器件和集成技術。其已經開發出來的先進異構集成（Heterogeneous Integration）工藝就是在65nm的CMOS上集成了0.25微米的InP HBT電晶體和0.2微米的GaN HEMT電晶體——這是世界上首個在電晶體級上異構集成了三個器件技術。熟悉類比/射頻/微波/毫米波晶片性能的人應該知道為何需要InP和GaN這些材料而非普通的CMOS。
[ 本帖最後由 白雲2014 於 2020-8-4 02:38 PM 編輯 ]
