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自主芯片的研發,已經上升到國家的高度,在這個領域尋求更大的突破和發展,是國內科研人員目前集體努力的方向。
在昨天舉行的“極大規模集成電路製造裝備及成套工藝”活動上,集成電路專項技術總師葉甜春對外表示,國產14nm工藝已經攻克難關,將在明年投入量產。
葉甜春強調,通過2萬科技工作者9年的艱苦攻關,終於研製成功14nm刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品,性能達到國際先進水平,通過了大生產線的嚴格考核,開始批量應用並出口到海外,實現了從無到有的突破,填補了產業鏈空白。同時,製造工藝與封裝集成由弱漸強,技術水平飛速跨越,國際競爭力大幅提升。
此外,葉甜春還給出了接下來國產芯片的發展規劃,“十三五”將重點支持7-5nm工藝和三維存儲器等國際先進技術的研發。
之前產業鏈給出的消息稱,中芯國際已經開始啟動7nm工藝製程研發,並與北方華創、中微建立了長期合作關係。目前,三星、TSMC及Intel已經完成了7nm工藝研發,準備在2018年後量產。